ANALYSE PHYSIQUE DU COMPORTEMENT DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES. APPLICATION AUX CAS DU GAP ET DU GAAS_XP_1-X.VASSILIEFF G.1977; ; S.L.; DA. 1977; PP. 1-215; BIBL. 6 P. 1/2; (THESE DOCT. SCI.; PAUL SABATIER TOULOUSE)Thesis

ETUDE DES PROPRIETES ELECTRIQUES ET DES PROPRIETES D'EMISSION DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES AU GAP ET GAASP.VASSILIEFF G; MARTINOT H.1977; DGRST-7570699; FR.; DA. 1977; PP. 1-50; BIBL. 4 REF.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MINIATURISES)Report

RECOMBINATION KINETICS OF THE EXCITONS IN GAP:N ELECTROLUMI NESCENT DIODES.VASSILIEFF G; CHEVALIER J; MARIETTE H et al.1978; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1978; VOL. 21; NO 2; PP. 403-407; BIBL. 12 REF.Article

ACCURATE TWO SECTIONS MODEL FOR MOS TRANSISTOR IN SATURATION.ROSSEL P; MARTINOT H; VASSILIEFF G et al.1976; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1976; VOL. 19; NO 1; PP. 51-56; BIBL. 23 REF.Article

MOBILITY PARAMETERS AND METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR-TRANSISTOR PROPERTIESMARTINOT H; ROSSEL P; VASSILIEFF G et al.1972; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1972; VOL. 8; NO 24; PP. 599-600; BIBL. 11 REF.Serial Issue

Preparation of devices by liquid phase epitaxy with application to the achievement of a visible laser in GaAlAsVASSILIEFF, G; SAINT-CRICQ, B.Journal of applied physics. 1984, Vol 55, Num 3, pp 743-751, issn 0021-8979Article

Zn incorporation in Ga_1-XAl_X as grown by liquid phase epitaxy and its electrical propertiesVASSILIEFF, G; SAINT-CRICQ, B.Journal of applied physics. 1983, Vol 54, Num 8, pp 4581-4585, issn 0021-8979Article

METHODES DE MODELISATION, CONCEPTION ET REALISATION DE STRUCTURES ELECTROLUMINESCENTES A SIMPLE ET DOUBLE HETEROJONCTIONS AU GAALASMARTINOT HENRI; BAILHE A; MOTAWIE I et al.1979; ; FRA; DA. 1979; DGRST-77 7 1003; 53 P.: ILL.-PL.; 30 CM; ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROMINIATURESReport

ETUDE D'UNE DIODE AU GAALAS DE TRES FORTE RADIANCE ELECTROLUMINESCENTE DANS LE SPECTRE ROUGELOZES DUPUY F; MARTINOT H; ATALLAH K et al.1981; ; FRA; DA. 1981; DGRST/79 7 0766; 74 P.; 30 CM; BIBL. 12 REF.; ACTION CONCERTEE; COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROMINIATURISESReport

Laser cavity modelling : Microelectronics and optoelectronics III-VDAMAKOA, I; AUDOUNET, J; BOUYSSOU, G et al.Journal de physique. III (Print). 1993, Vol 3, Num 9, pp 1729-1737, issn 1155-4320Conference Paper

Critères généraux de conception des réseaux de diodes lasers à rubans couplés par champs evanescents = General criteria for design of phase locked diode laser arraysLOZES-DUPUY, F; BONNEFONT, S; BENSOUSSAN, A et al.Annales des télécommunications. 1989, Vol 44, Num 3-4, pp 135-141, issn 0003-4347, 7 p.Article

Modélisation du courant de seuil de diodes laser GaAlAs à guidage par l'indice = Threshold current modelling of index guided GaAlAs laser diodesLOZES-DUPUY, F; SAINT-CRICQ, B; VASSILIEFF, G et al.Revue de physique appliquée. 1987, Vol 22, Num 11, pp 1561-1569, issn 0035-1687Article

Analyse des limitations en puissance d'un amplificateur optique à contact evase = Power limitations analysis of optical amplificator at widened contactsMARIOJOULS, S; VERGNENEGRE, C; BONNEFONT, S et al.Journées nationales de microélectronique et optoélectronique. 1999, 2Vol, 2 p.Conference Paper